このたび、フォトサイエンスでは次世代パワー半導体として注目されている、SiCを観察する「ＳｉＣ顕微観察装置SCM-100」を販売開始致します。

SiC(シリコンカーバイド)はシリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料です。
絶縁破壊電界強度がSiの10倍、バンドギャップがSiの3倍と優れているだけでなく デバイス作製に必要なp型, n型の制御が広い範囲で可能であることなどから、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されています。また、SiC はGaNとともに、電力損失を大きく減らすことができ、高温（Siは150℃に対してSiCは250℃）で動作するため冷却機器を小さくでき、機器を小型化することができます。

しかし、SiCパワーデバイスの問題点として結晶欠陥が多く発生することがあります。この結晶欠陥を観察、選別するために、各種測定装置が販売されています。X線回折法、ラマン散乱分光法、高分解能電子線顕微鏡測定、高速反射電子線回RHEEDパターンの解析などがありますが、今回弊社で開発したものは顕微観察装置SCM-100です。SCM-100は結晶欠陥の問題を解決するために、あらかじめプログラムされた電流をＳｉＣデバイスに印可し、電流印可時の発光状態を顕微鏡下で観察、ＣＣＤカメラで撮影することで、結晶欠陥を迅速に観察、選別することができます。画像は適当なインターバルで撮影し保存することができます。詳しくはこちらからご覧下さい。

今後、省エネと温室効果ガス削減の観点から様々な分野でSiC半導体が活用されることになるでしょう。
納期や価格などはお問い合わせからお気軽にご質問下さい。

「SiC顕微観察装置SCM-100」製品情報